导向温梯法（简称：温梯法）晶体生长工艺

项目名称：导向温梯法（简称：温梯法）晶体生长工艺
项目编号：09005151cl
专利号：CN 85 1 00534
专利申请号：
转化方式：合作、转让、融资
项目现状：技术方案、设计图纸

      导向温梯法（简称：温梯法）晶体生长工艺：
      1、能稳定培育大尺寸高完整性优质Nd：YAG激光晶体、Yb：YAG激光晶体、掺钛蓝宝石(简称：钛宝石、英文名称：Ti:sapphire)可调谐激光晶体。
      2、生长直径2—4英寸以上的红外窗口、GaN（蓝光发光材料）使用的衬底基片、武器装备使用的整流罩等所需的蓝宝石晶体。
      温梯法晶体生长工艺的研究水平：
      周永宗于1985年发明“一种耐高温的温梯法晶体生长装置  专利号：CN 85 1 00534”。
      从此，我国在世界上结晶学领域，独创了一种全新的大尺寸高温氧化物晶体生长技术，温梯法晶体生长工艺，他是当今世界上唯一 一种能生长4英寸以上，结晶完整性和光学均匀性均优的掺钕、掺镱钇铝石榴石（Nd：YAG、Yb：YAG）激光晶体，以及高掺杂浓度的钛宝石（Ti+3：Al2O3）可调谐激光晶体。
      同时，中国的“温梯法”与俄罗斯的“泡生法”、美国的“热交换法”一起成为当今世界上能生长4英寸以上大尺寸优质蓝宝石晶体的三大晶体生长方法。
且中国的“温梯法”生长的蓝宝石晶体，其结晶完整性和光学均匀性远优于俄罗斯的泡生法，这是不争的事实。
      “温梯法”生长的直径113毫米蓝宝石晶体，经美国加州理工学院，美国通用公司和国内相关单位等综合测试结果，大面积光学均匀性：Δn<10-5、光损耗：<10-4/cm、位错密度：≦5*102/cm2达到国际先进水平，部分指标，如1064nm（纳米）的弱吸收测试结果：吸收系数为35~65ppm/cm优于美国Crystal System INC(CSI)公司提供的样品80ppm/cm，处于国际领先水平。
      温梯法晶生长工艺的产业化：由四大发明技术：“1、一种耐高温的温梯法晶体生长装置；2、一种耐高温的晶体退火装置；3、一种纯静态双加热温梯法晶体生长装置（实用新型：双加热温梯法晶体生长装置）；4、中性、惰性气氛中晶体的退火处理方法”构成一个完整产业链。