（1996年首届上海发明家、优秀发明人）

范世骐，男，55岁，中共党员，研究员，博士生导师。1962年毕业于西北大学化学系，在中国科学院上海硅酸盐研究所从事晶体材料科学研究三十余年。在晶体生长理论和工艺技术，晶体性能与缺陷的关系、无机功能材料物性表征与制备过程等领域有效深造诣。发表论文50余篇。应邀参加晶体材料科学的国际会议并讲学十多次。1985-1985年在西欧核子研究中心（CERN）参加丁肇中教授领导的国际协作组L3工作。先后参加、主持、领导过多项国家攻关项目和重大科研课题的研究工作。从六十年代其作为主要骨干参与国家科委下达的国家重大科研项目“合成云母研究”，获1979年国家发明二等奖。参与并主持国家“六五”攻关项目“锗酸铋（BGO）晶体生长和应用”研究，获国家发明一等奖，第十五届日内瓦国家发明展览会金奖，首届亿利达科技进步奖等。“七五”期间，领导中国科学院重大项目课题“新型压电晶体四硼酸锂的生长和应用”研究，获1993年中国科学院科技进步一等奖、1995年国家发明二等奖。近年来还同时从事新功能晶体材料探索研究。

范世马豈研究员学风严谨，为人正直，严于律已，宽于待人。既是学术上的带头人，又是研究室的好领导，处处以共产党员的标准要求自己，曾多次被评为所先进工作者。1989年获得首届“上海市科技精英（提名奖）”，1990年获“中国科学院有突出贡献的中青年专家”称号，是1991年第一批享受国务院“政府特殊津贴”的科学家。

近几年来，范世骐研究员主要从事新型压电晶体四硼酸锂及其新生长方法的研究。四硼酸锂（简称LBO）是八十年代发现的新型压电晶体材料，它具有高机电耦合系数、零温度延迟系数、声速快、金属带条发射率高、不许极化处理等特点，在很多方面比传统的石英和铌酸锂等材料优越，是一种非常有前途的声表面波和体波器件基片材料。随着移动通讯产业的迅速发展，世界各国争相研究LBO晶体和器件。但LBO熔体粘度大，容易开裂和形成核芯，要长成φ3英寸、适合电子器件生产的完整大晶体，谈何容易！国外已经有了近十年的研究基础，国内也有不少人在研究，始终未能解决LBO大尺寸完美晶体的生长难题。范世 研究员研究了该晶体的特性，突破国内外广泛使用的传统的提拉法生长工艺局限，首次将坩埚下降法用于LBO晶体生长，从理论和实践上创造性地解决了LBO晶体生长中的成芯、固液界面控制、晶体开裂等关键问题，生长出了大尺寸、高质量的LBO晶体，同时保证了规模生产过程中的质量稳定性。LBO生长需要900℃以上的高温，平常炉子间和工作室的温度都高于50℃。夏天，进去不要5分钟，衬衫就湿透了，汗水常常顺着眉毛流下来。但是，他在实验室一干就是一整天，有时晚上也守在实验室里，观察炉子的变化，及时调整生长条件。LBO的另一个关键性难题是晶体开裂。有时出炉是好晶体，如果不及时处理，一夜过来就会裂开，变成无用的废料了。每次出炉，范世马豈研究员都和组里的同志一起，战高温，加班加点，有时忙得忘了吃饭时间，晚上常常要到十点多钟才回家。凭着一股对科学的钻劲和挤劲，以及全组科研人员的艰苦劳动，仅用了三年时间，就奇迹般地解决了LBO生长的国际难题。在日本仙台召开的第九届国际晶体生长会议上，他的成果震惊了数十个国家的代表们。接着，与日本合作，世界上首批LBO基片移动通讯器件诞生了。LBO晶体1990年被评为国家级新产品，1992年获得国家发明专利，1993年获中国科学院科技进步一等奖，1995年获国家发明二等奖。目前，LBO晶体已在中国科学院上海硅酸研究所嘉定中试基地推广生产，产品全部出口创汇，1991年至今已累计创汇159万美元，约合1300万人民币。由于LBO晶体的优越性能，国外不少大公司都希望购买LBO晶体或合作开发LBO移动通讯器件，预计今后几年可获得每年50-60万美元的稳定供货合同。中国成为世界上唯一能够批量生产LBO晶体的国家，促进了通讯产业的发展，为国家争得了荣誉，带来了可观的社会经济效益。

    晶体生长不仅需要丰富的物理和化学知识，而且要有很好的实验技能。范世骐研究员研究多年来一直重视技术的积累，从铂金加工到实验炉的设计，从晶体生长工艺到晶体切、磨、抛等加工技术，他都善于钻研。虽然是学科带头人，室主任兼支部书记，但这些又脏又累得活，他都带头干，他还十分重视年轻人的培养。他合作培养的徐一斌博士，从硕士到博士五年多时间里，在他的指导下取得了丰硕的研究成果，获得第四届中国青年科学奖（1994年），中国硅酸盐学会首届青年科学奖（1995年）。徐学武博士在他的指导下成功地入选1995年上海市科技启明星计划。范世马豈研究员不仅成功地解决了LBO生长的技术难关，使中国在该材料的研究领域中处于领先地位，而且发展和丰富了晶体生长的技术和理论，他所领导的研究小组，正在把下降法技术的应用从氧化物晶体扩展到半导体材料、激光晶体，从地面生长扩展到空间晶体生长等领域。